به گزارش ایتنا
رکورد جدید در دوام حافظههای نوظهور توسط محققان چینی
محققان چینی با افزایش دوام حافظههای فروالکتریک AlScN به ۱۰ میلیارد چرخه نوشتن، گامی مهم در جهت تجاریسازی این فناوری برداشتند.
🕓 02:48 - 1405/06/23
📡
www.itna.ir