به گزارش ایتنا و به نقل از Interesting Engineering، پژوهشگران چینی فرآیند اولیهای را برای ساخت ترانزیستورهای نسل جدید در سطح زیر ۳ نانومتر با استفاده از لیتوگرافی فرابنفش عمیق توسعه دادهاند.
این کار که بر اساس اظهارات یه تیانچون، پژوهشگر باسابقه نیمهرسانای چین گزارش شده است، در شرایطی انجام میشود که محدودیتهای صادراتی آمریکا و هلند همچنان دسترسی چین به پیشرفتهترین سامانههای لیتوگرافی شرکت ASML را محدود کرده است.
گفتنی است آکادمی علوم چین اعلام کرده است که پژوهشگرانش یکپارچهسازی اولیه ترانزیستورهای GAA با کانال نانوصفحهای انباشته را با استفاده از ابزارهای فرابنفش عمیق تکمیل کردهاند، اما این فناوری هنوز در مرحله توسعه اولیه قرار دارد و نشان نداده است که میتواند از تولید در مقیاس تجاری پشتیبانی کند.
این پژوهش بر ترانزیستورهای GAA متمرکز است؛ معماریای که در حال جایگزینی طراحیهای فینفت با حرکت سازندگان نیمهرسانا به سمت گرههای فرآیندی کوچکتر است.
گروه پژوهشی آکادمی علوم چین، ترانزیستورهای GAA با کانال نانوصفحهای انباشته را با استفاده از لیتوگرافی فرابنفش عمیق یکپارچه کرده است.
یه تیانچون، پژوهشگر باسابقه مؤسسه میکروالکترونیک آکادمی علوم چین، این کار را یک مسیر فرآیندی اولیه برای توسعه دستگاههای زیر ۳ نانومتر توصیف میکند. اما این بدان معنا نیست که چین یک تراشه زیر ۳ نانومتری آماده تولید را به نمایش گذاشته است.
بر اساس اعلام کارشناسان، این پژوهش در شرایطی انجام میشود که چین به لیتوگرافی فرابنفش شدید دسترسی محدودی دارد.
ماشینهای فرابنفش شدید شرکت ASML از نور ۱۳٫۵ نانومتری برای ایجاد الگوهای بسیار کوچک روی ویفرهای سیلیکونی استفاده میکنند و از پیچیدهترین ماشینهای صنعتی ساختهشده به شمار میروند.
شمـا اولیـن نفـر هستـید کـه نظـر خـود را ثبـت مـی کنیـد.
🗩ثبـت نظر: